Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (27) | Реферативна база даних (25) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Горбачев В$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 16 Представлено документи з 1 до 16 |
|||
| 1. | 
Горбачев В. А. Формальные основы методов блокировки аппаратных закладных устройств [Електронний ресурс] / В. А. Горбачев // Прикладная радиоэлектроника. - 2012. - Т. 11, № 2. - С. 275-280. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Prre_2012_11_2_29 | ||
| 2. |
Горбачев В. А. Достаточные условия безопасности информации в электронных системах [Електронний ресурс] / В. А. Горбачев // Прикладная радиоэлектроника. - 2014. - Т. 13, № 3. - С. 319-327. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Prre_2014_13_3_26 | ||
| 3. | 
Горбачев В. В. Сигнально-кодовые конструкции для адаптивных методов кодирования в многоканальных системах [Електронний ресурс] / В. В. Горбачев, В. А. Крылова // Інформаційно-керуючі системи на залізничному транспорті. - 2014. - № 1. - С. 56-58. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ikszt_2014_1_10 | ||
| 4. | 
Викулин И. М. Деградация элементов волоконно-оптических линий связи при радиационном облучении [Електронний ресурс] / И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, В. Э. Горбачев, С. К. Криськив // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2012. - № 1. - С. 57-63. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2012_1_12 Рассмотрены механизмы изменения параметров компонентов ВОЛС при радиационном воздействии. Влияние радиации на элементы ВОЛС проявляется в уменьшении интенсивности света, излучаемого светодиодом, а также в снижении чувствительности фотоприемника, принимающего световой сигнал. | ||
| 5. | 
Горбачев В. И. Закономерности проектирования учебных математических теорий в методологии теоретического типа мышления [Електронний ресурс] / В. И. Горбачев // Фізико-математична освіта. - 2016. - Вип. 1. - С. 49-60. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/fmo_2016_1_7 Изложен общий подход к изучению базовых теорий общеобразовательного курса математики в содержании теоретического типа мышления по В. В. Давыдову. Исследована задача становления общенаучных представлений о базовых компонентах учебной математической теории. Закономерности теоретического типа мышления конкретизированы в представлении базовых пространств (числового, геометрического, евклидова, функционального, предикатного), исследовании теории пространств. Выделена структура учебной математической деятельности в базовых теориях числовых систем, функций, векторов, геометрических фигур, числовых предикатов. | ||
| 6. | 
Горбачев В. П. Пределы полномочий прокуратуры на возбуждение уголовного преследования в Российской Империи после судебной реформы 1864 года [Електронний ресурс] / В. П. Горбачев // Вісник Луганського державного університету внутрішніх справ імені Е. О. Дідоренка. - 2016. - Вип. 4. - С. 15-24. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vlduvs_2016_4_4 | ||
| 7. | 
Горбачев В. А. Обзор проблем безопасности и проектирования защищенных электронных систем [Електронний ресурс] / В. А. Горбачев, К. Б. Абдулрахман // Радиотехника. - 2017. - Вып. 191. - С. 113-119. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rvmnts_2017_191_12 | ||
| 8. | 
Горбачев В. П. Полномочия прокуратуры в привлечении полицейских к ответственности за нарушения при расследовании преступлений в Российской империи [Електронний ресурс] / В. П. Горбачев // Науковий вісник Херсонського державного університету. Серія : Юридичні науки. - 2016. - Вип. 6(1). - С. 15-19. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvkhdu_jur_2016_6(1)__5 | ||
| 9. |
Викулин И. М. Влияние радиации на термочувствительность биполярных транзисторов [Електронний ресурс] / И. М. Викулин, В. Э. Горбачев, Ш. Д. Курмашев // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2015. - № 2. - С. 12-19. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2015_2_4 Исследовано влияние эффективной концентрации примеси, задающей тип проводимости базовой области и толщины базы на радиационную стойкость транзисторных термодатчиков. В качестве термочувствительного параметра биполярного транзистора выбрано прямое падение напряжения на эмиттерном переходе. Получены зависимости прямого падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора и коэффициента усиления по току от величины-квантов. Получено, что деградация прямого падения напряжения - потоков электронов, нейтронов и под воздействием ионизирующего облучения начинается при дозах почти на два порядка выше, чем коэффициента усиления по току, в зависимости от конструктивных особенностей транзистора. После отжига облученных потоком электронов структур наблюдается значительное улучшение воспроизводимости термочувствительного параметра (падения напряжения на прямосмещенном эмиттерном p-n-переходе), что повышает процент выхода годных приборов.Исследовано влияние концентрации примеси, задающей тип проводимости канала на радиационную стойкость детекторов на основе полевых транзисторов. Измерены зависимости тока насыщения стока транзисторов с управляющим p-n-переходом от величины потоков электронов, нейтронов и gamma-квантов. Получено, что деградация тока насыщения стока транзисторов с управляющим p-n-переходом под воздействием нейтронов начинается при потоках почти на два порядка меньших, чем под воздействием электронов. Облучение приводит не только к возрастанию термочувствительности детекторов в 2 - 5 раз, но и к уменьшению разброса ее значений среди различных образцов. Деградация характеристик полевых МДП-транзисторов со встроенным каналом начинается при потоках облучения на два порядка меньших, чем деградация транзисторов с управляющим p-n-переходом. Воздействие малыми дозами gamma-квантов не уменьшает разброс параметров МДП-транзисторов, а gamma-облучение значительными экспозиционными дозами приводит к улучшению воспроизводимости тока насыщения стока и термочувствительности полевых МДП-транзисторов. | ||
| 10. |
Викулин И. М. Влияние радиации на термочувствительность полевых транзисторов [Електронний ресурс] / И. М. Викулин, В. Э. Горбачев, Ш. Д. Курмашев // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2016. - № 2. - С. 11-17. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2016_2_4 Исследовано влияние эффективной концентрации примеси, задающей тип проводимости базовой области и толщины базы на радиационную стойкость транзисторных термодатчиков. В качестве термочувствительного параметра биполярного транзистора выбрано прямое падение напряжения на эмиттерном переходе. Получены зависимости прямого падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора и коэффициента усиления по току от величины-квантов. Получено, что деградация прямого падения напряжения - потоков электронов, нейтронов и под воздействием ионизирующего облучения начинается при дозах почти на два порядка выше, чем коэффициента усиления по току, в зависимости от конструктивных особенностей транзистора. После отжига облученных потоком электронов структур наблюдается значительное улучшение воспроизводимости термочувствительного параметра (падения напряжения на прямосмещенном эмиттерном p-n-переходе), что повышает процент выхода годных приборов.Исследовано влияние концентрации примеси, задающей тип проводимости канала на радиационную стойкость детекторов на основе полевых транзисторов. Измерены зависимости тока насыщения стока транзисторов с управляющим p-n-переходом от величины потоков электронов, нейтронов и gamma-квантов. Получено, что деградация тока насыщения стока транзисторов с управляющим p-n-переходом под воздействием нейтронов начинается при потоках почти на два порядка меньших, чем под воздействием электронов. Облучение приводит не только к возрастанию термочувствительности детекторов в 2 - 5 раз, но и к уменьшению разброса ее значений среди различных образцов. Деградация характеристик полевых МДП-транзисторов со встроенным каналом начинается при потоках облучения на два порядка меньших, чем деградация транзисторов с управляющим p-n-переходом. Воздействие малыми дозами gamma-квантов не уменьшает разброс параметров МДП-транзисторов, а gamma-облучение значительными экспозиционными дозами приводит к улучшению воспроизводимости тока насыщения стока и термочувствительности полевых МДП-транзисторов. | ||
| 11. |
Викулин И. М. Варисторы из монодисперсных керамических порошков SiC и Si3N4, полученные с помощью лазерного излучения [Електронний ресурс] / И. М. Викулин, В. Э. Горбачев, Ш. Д. Курмашев // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2016. - № 1. - С. 29-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2016_1_6 Рассмотрен процесс получения порошков карбида кремния SiC и нитрида кремния Si3N4 с применением излучения CO2-лазера. Технология отличается тем, что используемые в процессе изготовления реагентные газы - силан SiH | ||
| 12. |
Викулин И. М. Высокочувствительные дозиметры на основе полевых и однопереходных транзисторов [Електронний ресурс] / И. М. Викулин, А. В. Веремьева, В. Э. Горбачев, П. Ю. Марколенко // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2016. - № 1. - С. 51-54. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2016_1_9 Экспериментально исследована возможность создания датчика радиации на основе измерительного моста из четырех полевых транзисторов. Использование в качестве сенсорных элементов полевых транзисторов позволяет увеличить чувствительность датчика, а мостовая схема их включения снижает уровень шумов до минимума. Комбинация четырех полевых транзисторов, два из которых с положительным знаком радиационной чувствительности, а два других с отрицательным, позволяет на порядок увеличить зависимость выходного напряжения в диагонали моста датчика от интенсивности облучения. Для улучшения помехозащищенности полезного сигнала при его дальнейшем усилении и устранения промежуточных АЦП при сопряжении датчика с цифровыми системами обработки информации в качестве датчика был использован генератор релаксационных колебаний на основе однопереходного транзистора с полевым транзистором в цепи эмиттера. Выходным параметром такого датчика является частота переменного сигнала в зависимости от интенсивности облучения. | ||
| 13. | 
Горбачев В. П. Прокурор на этапе возбуждения уголовного преследования за должностные преступления в Российской империи [Електронний ресурс] / В. П. Горбачев // Часопис Київського університету права. - 2016. - № 4. - С. 22-26. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Chkup_2016_4_6 | ||
| 14. | 
Горбачев В. П. Методы и средства прокурорского руководства и надзора за полицейским дознанием в Российськой империи [Електронний ресурс] / В. П. Горбачев // Науковий вісник Ужгородського національного університету. Серія : Право. - 2017. - Вип. 45(1). - С. 7-10. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/nvuzhpr_2017_45(1)__3 | ||
| 15. | 
Горбачев В. П. Роль прокуратуры Российской империи в прекращении дознаний о государственных преступлениях [Електронний ресурс] / В. П. Горбачев // Право і суспільство. - 2017. - № 5(2). - С. 12-17. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pis_2017_5(2)__5 | ||
| 16. | 
Горбачев В. П. Прокуратура среди органов, возбуждавших уголовное преследование, в Российской империи [Електронний ресурс] / В. П. Горбачев // Науковий вісник Міжнародного гуманітарного університету. Серія : Юриспруденція. - 2016. - Вип. 22. - С. 12-15. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvmgu_jur_2016_22_5 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |